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DMNH6012LK3-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH6012LK3-13
- 商品编号
- C7172040
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.926nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
μPA2766T1A是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性
应用领域
-车身控制电子系统-DC/DC转换器