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ZXMN4A06GQTA
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN4A06GQTA
- 商品编号
- C7170675
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 216W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 746pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低阈值
- 低栅极驱动
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
应用领域
- DC-DC转换器
- 音频输出级
- 继电器和螺线管驱动
- 电机控制
- ZXMP4A16GQTA
- ZXMP4A57E6TA
- ZW-08-20-G-D-340-340
- ZXTP19100CZTA
- ZXTP2006E6TA
- ZW-08-20-S-S-500-130
- 1SX210HN3F43I3VG
- 1SX250HH1F55E1VG
- ZW-09-08-G-D-299-077
- 1SX250HN3F43E1VG
- ZW-09-08-G-S-320-100
- 1SX250HU3F50I2VG
- ZW-09-09-G-S-294-218
- 1SX280HH3F55I2LG
- ZW-09-10-G-S-585-090
- 1SX280HN3F43E3VG
- ZW-09-11-G-D-437-250
- ZW-09-12-L-D-670-240
- 1SX36-T
- 1T10A1_0509D1.5UP
- ZW-09-15-G-S-280-280