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DMN2451UFDQ-13
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.1A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2451UFDQ-13
- 商品编号
- C7171986
- 商品封装
- UDFN1212-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂制造。
应用领域
- 电池供电系统和固态继电器
- 负载开关