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DMN2080UCB4-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 采用超薄晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）工艺设计，旨在最大程度降低导通电阻 $(R_{DS(ON)})$，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2080UCB4-7
- 商品编号
- C7171978
- 商品封装
- X2-WLB0606-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这款新一代MOSFET采用超薄晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）工艺设计，旨在最大程度降低导通电阻（R_DS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 内置栅源（G-S）保护二极管，可承受2kV静电放电（ESD）
- 采用沟槽MOS技术，具备极低的导通电阻（RDS(ON)）：RDS(ON) = 43 mΩ，可最大程度降低导通损耗
- 典型栅源阈值电压（VGS(TH)） = 0.7 V，具备低开启电位
- 芯片尺寸封装（CSP），封装尺寸为0.8 mm × 0.8 mm
- 封装高度为0.35mm，具备低轮廓特性
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电池管理-负载开关