TP65H035WS
1个N沟道 耐压:650V 电流:46.5A
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H035WS
- 商品编号
- C7125447
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻(RDS(on)eff)生产测试
- 坚固的设计,通过本征寿命测试和宽栅极安全裕量来定义
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷(QRR)
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
- 数据通信
- 广泛的工业领域
- 光伏逆变器
- 伺服电机