TJ15S06M3L,LXHQ
1个P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TJ15S06M3L,LXHQ
- 商品编号
- C7068777
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 38.5mΩ(典型值)(VGS = -10V)
- 低泄漏电流:IDSS = -10 μA(最大值),VDS = -60 V
- 增强型:Vth = -2.0至-3.0V(VDS = -10V,ID = -1mA)
应用领域
-汽车领域-电机驱动器-DC-DC转换器-开关稳压器
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