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TK099V65Z,LQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.08Ω（典型值）。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：VTH = 3 至 4V（VDS = 10V，ID = 1.27mA）。应用：开关电源
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK099V65Z,LQ
- 商品编号
- C7068982
- 商品封装
- DFN-5(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.257克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF@300V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
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