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TK12A55D(STA4,Q,M)实物图
  • TK12A55D(STA4,Q,M)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TK12A55D(STA4,Q,M)

1个N沟道 耐压:550V 电流:12A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TK12A55D(STA4,Q,M)
商品编号
C7069004
商品封装
TO-220SIS​
包装方式
管装
商品毛重
2.383克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)550V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.55nF@25V

商品特性

  • 快速反向恢复时间:trr = 130 ns(典型值)
  • 低漏源导通电阻:采用超结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.08 Ω(典型值)
  • 易于控制栅极开关
  • 增强型:Vth = 3至4.5 V(VDS = 10 V,ID = 2.1 mA)

应用领域

  • 开关稳压器

数据手册PDF