TK11A55D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:550V 电流:11A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK11A55D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C7069000
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@10V,5.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@25V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 0.52 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：正向传输导纳幅值 (|Yfs|) = 6.0 S（典型值）
- 低漏电流：漏源漏电流 (IDSS) = 10 μA（最大值）（漏源电压 (VDS) = 550 V）
- 增强型：阈值电压 (Vth) = 2.0 至 4.0 V（漏源电压 (VDS) = 10 V，漏极电流 (ID) = 1 mA）