6116LA25SOG
6116LA25SOG
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 6116LA25SOG
- 商品编号
- C7030977
- 商品封装
- SOIC-24
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 95mA | |
| 待机电流 | 900nA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT6116SA/LA是一款16384位高速静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为2K×8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。 最快访问时间可达15ns。该电路还提供低功耗待机模式。当片选信号(CS)为高电平时,只要CS保持高电平,电路将自动进入并保持在待机功耗模式。此功能可显著节省系统级功耗和散热成本。低功耗(LA)版本还具备电池备份数据保留功能,在2V电池供电下,电路典型功耗仅为1μW至4μW。 IDT6116SA/LA的所有输入和输出均与TTL兼容。采用全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。 IDT6116SA/LA采用24引脚300mil塑料双列直插式封装(DIP)、24引脚600mil和300mil陶瓷双列直插式封装(DIP)或24引脚鸥翼式小外形集成电路封装(SOIC),可提供高电路板级封装密度。 产品按照MIL - STD - 883 B级标准制造,非常适合对性能和可靠性要求极高的应用。
商品特性
- 高速访问和片选时间:
- 商用级:最大15/20/25ns
- 工业级:最大20/25ns
- 低功耗
- 电池备份操作:数据保留电压2V(仅LA版本)
- 采用先进的CMOS高性能技术生产
- CMOS工艺几乎消除了α粒子软错误率
- 输入和输出直接与TTL兼容
- 静态操作:无需时钟或刷新
- 提供陶瓷24引脚DIP、陶瓷和塑料24引脚薄型DIP以及24引脚SOIC封装
- M32926产品符合MIL - STD - 833 B级标准
- 部分速度可选工业温度范围(-40°C ~ +85°C)
- 提供环保产品,详见订购信息
- QMQF326P25-2.0A-16.367673
- QMQF326P25-2.0A-16.380
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