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6116LA25SOG引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

6116LA25SOG

6116LA25SOG

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商品型号
6116LA25SOG
商品编号
C7030977
商品封装
SOIC-24​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量16Kbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间25ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流95mA
待机电流900nA
功能特性自动掉电功能

商品概述

IDT6116SA/LA是一款16384位高速静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为2K×8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。 最快访问时间可达15ns。该电路还提供低功耗待机模式。当片选信号(CS)为高电平时,只要CS保持高电平,电路将自动进入并保持在待机功耗模式。此功能可显著节省系统级功耗和散热成本。低功耗(LA)版本还具备电池备份数据保留功能,在2V电池供电下,电路典型功耗仅为1μW至4μW。 IDT6116SA/LA的所有输入和输出均与TTL兼容。采用全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。 IDT6116SA/LA采用24引脚300mil塑料双列直插式封装(DIP)、24引脚600mil和300mil陶瓷双列直插式封装(DIP)或24引脚鸥翼式小外形集成电路封装(SOIC),可提供高电路板级封装密度。 产品按照MIL - STD - 883 B级标准制造,非常适合对性能和可靠性要求极高的应用。

商品特性

  • 高速访问和片选时间:
    • 商用级:最大15/20/25ns
    • 工业级:最大20/25ns
  • 低功耗
  • 电池备份操作:数据保留电压2V(仅LA版本)
  • 采用先进的CMOS高性能技术生产
  • CMOS工艺几乎消除了α粒子软错误率
  • 输入和输出直接与TTL兼容
  • 静态操作:无需时钟或刷新
  • 提供陶瓷24引脚DIP、陶瓷和塑料24引脚薄型DIP以及24引脚SOIC封装
  • M32926产品符合MIL - STD - 833 B级标准
  • 部分速度可选工业温度范围(-40°C ~ +85°C)
  • 提供环保产品,详见订购信息

数据手册PDF