- 引脚图
- 焊盘图
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71V3576S150PFI
71V3576S150PFI
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V3576S150PFI
- 商品编号
- C7033593
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V3576/78是高速静态随机存取存储器，组织架构为128K x 36/256K x 18。这些静态随机存取存储器包含写、数据、地址和控制寄存器。其内部逻辑允许静态随机存取存储器基于一个可延迟到写周期结束时才做出的决定，生成自定时写操作。这些静态随机存取存储器采用高性能CMOS工艺制造，并封装在符合JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄型塑料四边扁平封装以及119球栅阵列和165细间距球栅阵列中。
商品特性
- 支持128K x 36和256K x 18的存储配置。
- 支持高系统速度。
- LBO输入选择交错或线性突发模式。
- 具有全局写控制、字节写使能和字节写的自定时写周期。
- 核心电源电压为3.3V。
- 通过ZZ输入控制掉电模式。
- 输入/输出电压为3.3V。
- 可选边界扫描JTAG接口，符合IEEE 1149.1标准。
- 提供多种封装选项。