71V632S8PFG
71V632S8PFG
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V632S8PFG
- 商品编号
- C7033605
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT71V632 是一款 3.3V 高速 SRAM,组织为 64K x 32,完全支持 Pentium 和 PowerPC 处理器接口。流水线突发架构为高达 117MHz 的处理器提供经济高效的 3-1-1-1 二级缓存性能。IDT71V632 SRAM 包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许 SRAM 基于可延迟到写周期最末端的决策生成自定时写操作。内部突发地址计数器接受来自处理器的第一个周期地址,启动访问序列。第一个输出数据周期将流水线一个周期,然后在下一个上升时钟沿可用。如果选择突发模式操作(ADV=低电平),后续三个周期的输出数据将在接下来的三个上升时钟沿对用户可用。这三个地址的顺序将由内部突发计数器和 LBO 输入引脚定义。IDT71V632 SRAM 采用高性能、大批量的 3.3V CMOS 工艺,并封装在 JEDEC 标准 14mm x 20mm 100 引脚薄型塑料四边扁平封装(TQFP)中,以实现桌面和笔记本应用中的板密度。
商品特性
- 64K x 32 内存配置
- 支持高系统速度
- 商业级:A4 4.5ns 时钟访问时间(117 MHz)
- 商业和工业级:5ns 时钟访问时间(100 MHz)
- 商业和工业级:6ns 时钟访问时间(83 MHz)
- 商业和工业级:7ns 时钟访问时间(66 MHz)
- 单周期取消选择功能
- LBO 输入选择交错或线性突发模式
- 自定时写周期,具有全局写控制(GW)、字节写使能(BWE)和字节写(BWx)
- 由 ZZ 输入控制的断电功能
- 使用单个 3.3V 电源供电(+10/-5%)
- 封装在 JEDEC 标准 100 引脚矩形塑料薄型四边扁平封装(TQFP)中

