70V3379S4PRFG8

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 70V3379S4PRFG8
商品编号: C7032571
商品封装: TQFP-128(14x20)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能

商品概述

IDT70V3379 是一款高速 32K x 18 位同步双端口 RAM。存储阵列采用双端口存储单元，允许从两个端口同时访问任何地址。控制、数据和地址输入上的寄存器提供最小的建立和保持时间。这种方法提供的时序余量使得系统能够设计出非常短的周期时间。凭借输入数据寄存器，IDT70V3379 已针对具有突发单向或双向数据流的应用进行了优化。由 CE0 和 CE1 控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入极低待机功耗模式。70V3379 可以支持一个或两个端口上的工作电压为 3.3V 或 2.5V，由 OPT 引脚控制。器件核心的电源（VDD）保持为 3.3V。

商品特性

真双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置
高速时钟到数据访问
商用：4.2/5/6纳秒（最大）
工业：5纳秒（最大）
流水线输出模式
计数器使能和复位功能
双芯片使能允许深度扩展，无需额外逻辑
双端口全同步操作
7.5纳秒周期时间，133兆赫兹操作（9.6 Gbps带宽）
快速4.2纳秒时钟到数据输出
在133兆赫兹下，所有控制、数据和地址输入的1.8纳秒建立时间和0.7纳秒保持时间
数据输入、地址、字节使能和控制寄存器
自定时写入允许快速周期时间
用于多路复用总线和总线匹配兼容性的独立字节控制
核心采用LVTTL兼容、单路3.3V（±150毫伏）电源
每个端口的I/O和控制信号采用LVTTL兼容、可选的3.3V（±150毫伏）/2.5V（±125毫伏）电源
工业温度范围（-40°C 到 +85°C）适用于选定速度
提供128引脚薄型四方扁平封装（TQFP）、208引脚细间距球栅阵列和256引脚球栅阵列
绿色部件可用

数据手册PDF

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