70V3379S4PRFG8
70V3379S4PRFG8
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 70V3379S4PRFG8
- 商品编号
- C7032571
- 商品封装
- TQFP-128(14x20)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT70V3379是一款高速32K x 18位同步双端口RAM。存储阵列采用双端口存储单元，允许从两个端口同时访问任何地址。控制、数据和地址输入上的寄存器提供了最小的建立和保持时间。这种方法提供的时序裕度允许系统设计具有非常短的周期时间。通过输入数据寄存器，IDT70V3379针对具有突发单向或双向数据流的应用进行了优化。由CE0（上划线）和CE1控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入极低的待机功耗模式。70V3379可以在一个或两个端口上支持3.3V或2.5V的工作电压，可通过OPT引脚控制。设备核心（VDD）的电源保持在3.3V。
商品特性
- 真正的双端口存储单元，允许同时访问同一存储位置
- 高速时钟到数据访问
- 商用：4.2/5/6ns（最大）
- 工业用：5ns（最大）
- 流水线输出模式
- 计数器使能和复位功能
- 双芯片使能允许在无需额外逻辑的情况下进行深度扩展
- 两个端口均为全同步操作
- 7.5ns周期时间，133MHz操作（9.6Gbps带宽）
- 快速4.2ns时钟到数据输出
- 在133MHz下，所有控制、数据和地址输入的建立时间为1.8ns，保持时间为0.7ns
- 数据输入、地址、字节使能和控制寄存器
- 自定时写入允许快速周期时间
- 复用总线和总线匹配兼容性的独立字节控制
- 核心采用LVTTL兼容的单3.3V（±150mV）电源
- 每个端口的I/O和控制信号采用LVTTL兼容、可选的3.3V（±150mV）/2.5V（±125mV）电源
- 部分速度可选工业温度范围（-40°C至+85°C）
- 提供128引脚薄型四方扁平封装（TQFP）、208引脚细间距球栅阵列和256引脚球栅阵列封装
- 提供环保产品，详见订购信息