- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMN25ENEAH
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.1A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMN25ENEAH
- 商品编号
- C7029129
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护 >2 kV HBM(H2 类)
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
- PMN40XPEAAX
- PMV30XPAR
- PMN28UN,135
- SXT2148EB07-27.000M
- PMNF1-3F-C
- SXT2148EB07-48.000M
- PMNF6-5R-L
- SXT2148EB16-24.000M
- PMP4850WPH
- PMS9505.050NLT
- PMS9P1B09M2QE
- PMT-24V35W1AG
- SXT2148EB17-30.000M
- SXT2148EB17-38.400M
- PMT-48V150W1AH
- SXT2148EB38-16.000M
- PMT-5V50W1AG
- PMT-D1V100W1AG
- SXT2148EB38-30.000M
- SXT2148EC07-25.000M
- SXT2148EC16-48.000M