温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV30XPAR
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV30XPAR
- 商品编号
- C7029157
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 610mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.039nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电（ESD）保护>1 kV HBM（H1C类）
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路