PSMN2R8-40BS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 211W | |
| 输入电容(Ciss) | 4.491nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 464pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用SOT404封装的标准电平N沟道MOSFET,工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备设计并通过相关认证。
商品特性
- 低开关和传导损耗,效率高
- 适用于标准电平栅极驱动源
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机控制
- 负载开关
- 服务器电源
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