PMN28UN,135
1个N沟道 耐压:12V 电流:5.7A
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMN28UN,135
- 商品编号
- C7029131
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchMOS技术
- 开关速度极快
- 低阈值电压
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池供电的电机控制
- 笔记本电脑中的负载开关
- 机顶盒电源中的高速开关
- 直流-直流转换器中的驱动FET
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