STP52N25M5
1个N沟道 耐压:250V 电流:28A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP52N25M5
- 商品编号
- C7021435
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用了意法半导体(STMicroelectronics)独特的STripFET工艺开发,该工艺专门为最小化输入电容和栅极电荷而设计。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC - DC转换器,以及对栅极电荷驱动要求较低的应用,用作初级开关。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用
