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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PD85015TR-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 59W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 15V |
商品概述
PD85015-E是一款共源N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带、商业和工业应用而设计。在共源模式下,它可在高达1 GHz的频率和13.6 V电压下工作。得益于意法半导体(ST)最新的LDMOS技术,并采用首款真正的表面贴装塑料射频功率封装PowerSO-10RF,PD85015-E具备出色的增益、线性度和可靠性。该器件卓越的线性度使其成为汽车收音机的理想解决方案。PowerSO-10塑料封装专为高可靠性设计,是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了优化,具有出色的射频性能,且易于组装。
商品特性
- 出色的热稳定性
- 共源配置
- 在870 MHz/13.6 V条件下,输出功率(POUT)为15 W,增益为16 dB
- 塑料封装
- 静电放电(ESD)保护
- 符合2002/95/EC欧洲指令