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STY60NM50
1个N沟道 耐压:500V 电流:60A
- 描述
- MDmesh™是一种全新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH™横向布局相结合。由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt以及出色的雪崩特性。采用专有条形技术后，其整体动态性能明显优于同类竞品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STY60NM50
- 商品编号
- C7021456
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 560W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 266nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF |
商品特性
- 快速反向恢复时间（trr）
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 无铅镀层；符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
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