STU9N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU9N65M2
- 商品编号
- C7021450
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - |
商品概述
WST2301A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WST2301A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
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