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S25FS256TDACHC113

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25FS256TDACHC113
商品编号: C6998406
商品封装: WLCSP-33(3.4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	2.3ms
	工作温度	0℃~+70℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

商品概述

该设备采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元可存储两位数据，具有扇区架构，包括统一的128KB（2位/单元）和64KB（1位/单元）扇区，还有可配置的扇区架构选项。具备256或512字节的页面编程缓冲区和1024字节（32×32字节）的OTP安全硅阵列。接口方面支持SPI和Quad协议，SPI最高运行速度可达13MBps（104MHz时钟速度），Quad最高运行速度可达52MBps（104MHz时钟速度）。内置纠错码（ECC）可纠正单比特错误并检测2比特错误，Ready Busy（RD/BY# = LOW）指示内部事件正在进行，可通过CS#信号方法（JEDEC）或单独的RESET#引脚进行硬件复位。设备具有可发现的串行闪存参数（SFDP）描述设备功能和特性，还有设备识别、制造商识别和唯一识别。数据完整性方面，1位/单元扇区的编程擦除周期最少100K次，2位/单元扇区最少5K次；1位/单元扇区寿命结束时数据保留最少0.28年，2位/单元扇区最少25年。供电电压为1.7V至2.0V，有商业级（0°C至+70°C）和工业级（-40°C至+85°C）温度范围，封装有已知良好晶圆（KGW）、24球BGA 6×8mm和晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。

商品特性

内置纠错码（ECC）可纠正单比特错误并检测2比特错误
Ready Busy（RD/BY# = LOW）指示内部事件正在进行
可通过CS#信号方法（JEDEC）或单独的RESET#引脚进行硬件复位
具有可发现的串行闪存参数（SFDP）描述设备功能和特性
具备设备识别、制造商识别和唯一识别

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	工作电压	1.7V~2V