S25FS256TDACHC113

该设备采用45纳米MIRRORBIT技术，每个存储阵列单元存储两个数据位。采用扇区架构，提供统一的128千字节（每单元2位）扇区和64千字节（每单元1位）扇区，并支持可配置的扇区架构选项。具备256或512字节的页编程缓冲区，以及1024字节（32×32字节）的一次性可编程安全硅阵列。接口支持串行外设接口，运行协议包括1S-1S-1S，最高速率达13兆字节每秒（104兆赫兹时钟速度）；同时支持四线串行外设接口，运行协议包括1S-1S-4S和1S-4S-4S，最高速率达52兆字节每秒（104兆赫兹时钟速度）。

• 内置纠错码，可纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误。
• 就绪忙输出信号在低电平时表示内部操作正在进行。
• 支持通过片选信号方法或独立的复位引脚进行硬件复位。
• 提供串行闪存可发现参数，用于描述设备功能和特性。
• 提供设备标识、制造商标识和标识。
• 数据完整性提供完全纠错码保护。
• 程序擦除周期：每单元1位扇区最低10万次，每单元2位扇区最低5千次。
• 数据保留：每单元1位扇区寿命终止时最低保留0.28年，每单元2位扇区寿命终止时最低保留25年。
• 供电电压范围为1.7伏至2.0伏。
• 温度范围：商业级为0°C 至 +70°C，工业级为-40°C 至 +85°C。
• 封装选项包括已知合格晶圆、24球栅格阵列（6×8毫米）和晶圆级芯片尺寸封装。