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IXFH120N15P引脚图
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IXFH120N15P

IXFH120N15P

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商品型号
IXFH120N15P
商品编号
C6968938
商品封装
TO-247AD​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)600W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC
输入电容(Ciss)4.9nF
反向传输电容(Crss)330pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.3nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式,可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接,功率耗散水平可达1 W。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
  • 封装电感低,易于驱动和保护
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 功率密度高

数据手册PDF