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IXFR26N100P

IXFR26N100P

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商品型号
IXFR26N100P
商品编号
C6968988
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))430mΩ@10V
耗散功率(Pd)290W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))6.5V
栅极电荷量(Qg)197nC@10V
输入电容(Ciss)11.9nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 直接覆铜基板上的硅芯片
  • 高功率耗散
  • 隔离安装面
  • 2500V 电气隔离
  • 低漏极至散热片电容(<30pF)
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 快速本征整流器

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-激光驱动器-交流和直流电机控制-机器人和伺服控制

数据手册PDF