IXFX150N15
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 560W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 低导通电阻（RDS(on)）HDMOST™ 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非钳位电感开关（UIS）额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 快速本征整流器
应用领域
-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机控制-温度和照明控制