IXTR32P60P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 196nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 国际标准封装-动态dv/dt额定值-雪崩额定-快速本征整流器-低栅极电荷Qg-低导通电阻RDS(ON)-低漏极到散热片电容-低封装电感-易于安装-节省空间
应用领域
- DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-高速功率开关应用
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