- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTA160N10T7
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 430W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 880pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 超低导通电阻
- 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 工作温度达175 °C
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动
- 42V电源总线
- 防抱死制动系统(ABS)
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 24V和48V系统的主开关
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 电子气门机构系统
- 大电流开关应用
- 高压同步整流器