嘉立创上市
购物车0
IXFA38N30X3引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFA38N30X3

IXFA38N30X3

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
IXFA38N30X3
商品编号
C6968932
商品封装
TO-263HV​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)240W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC
输入电容(Ciss)2.24nF
反向传输电容(Crss)1.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这些是采用MegaFET工艺制造的N沟道功率MOSFET。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI),能实现硅的最佳利用,从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现,该设计可在3V至5V的栅极偏压范围内提供全额定电导,从而便于直接从逻辑电平(5V)集成电路实现真正的开关功率控制。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低RDS(ON)和QG
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC转换器-PFC电路-交流和直流电机驱动器-机器人技术和伺服控制

数据手册PDF