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SSM3J372R,LF(B

1个P沟道耐压:30V

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描述: 特性：AEC-Q101合格。 1.8-V栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 144 mΩ (max) (VGS = -1.8 V)。RDS(ON) = 72.0 mΩ (max) (VGS = -2.5 V)。RDS(ON) = 50.0 mΩ (max) (VGS = -4.5 V)。RDS(ON) = 42.0 mΩ (max) (VGS = -10 V)。应用：电源管理开关
品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: SSM3J372R,LF(B
商品编号: C6916291
商品封装: SOT-23-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.032833克(g)

商品参数

AOD1N60、AOU1N60和AOI1N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。