温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3J15FV,L3F
1个P沟道 耐压:30V
- 描述
- 特性：适合小封装的高密度安装。 低导通电阻：RDS(ON) = -12Ω (max)(VGS = -4V)；RDS(ON) = 32Ω (max)(VGS = -2.5V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J15FV,L3F
- 商品编号
- C6916294
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.6pF |
商品特性
- 适合小封装高密度安装
- 低导通电阻:RDS(ON) = 12 Ω(最大值)(@VGS = -4 V)
- RDS(ON) = 32 Ω(最大值)(@VGS = -2.5 V)
应用领域
-高速开关应用-模拟开关应用
相似推荐
其他推荐