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BSZ0702LSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:17A 40A
- 描述
- 特性：针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于标准等级应用。 适用于高频开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0702LSATMA1
- 商品编号
- C6869290
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。其采用专有平面条纹设计，具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Crss“米勒”电容，实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率，从而降低电磁干扰（EMI），实现可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 专为充电器优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
- 适用于标准等级应用
- 非常适合高频开关
应用领域
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激（不对称桥）
- 单开关正激
- 反激
- 逆变器