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BSZ0702LSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:17A 40A
- 描述
- 特性：针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于标准等级应用。 适用于高频开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0702LSATMA1
- 商品编号
- C6869290
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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