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BSZ42DN25NS3GATMA1
1个N沟道 耐压:250V 电流:5A
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- 描述
- 特性：优化用于直流-直流转换。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ42DN25NS3GATMA1
- 商品编号
- C6869298
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 371mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@13uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
适用于基站应用的205 W LDMOS功率晶体管，在2100 MHz至2200 MHz频率范围内具有改善的视频带宽。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计
- 较低的输出电容，可改善Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计，提供出色的预失真能力
- 内部匹配，易于使用
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
适用于2100 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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