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BSZ42DN25NS3GATMA1
1个N沟道 耐压:250V 电流:5A
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- 描述
- 特性：优化用于直流-直流转换。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ42DN25NS3GATMA1
- 商品编号
- C6869298
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 371mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
适用于基站应用的205 W LDMOS功率晶体管，在2100 MHz至2200 MHz频率范围内具有改善的视频带宽。
商品特性
- 针对直流-直流转换进行优化
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷 x 导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 低导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150 °C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 按照IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
适用于2100 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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