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BSZ0704LSATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A 电流:11A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0704LSATMA1
- 商品编号
- C6869292
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的140 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为2300 MHz至2400 MHz。
商品特性
- 专为充电器优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 适用于标准等级应用
- 非常适合高频开关
应用领域
- 适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器