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BSZ0904NSIATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A 40A
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- 描述
- 特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。 集成单芯片类肖特基二极管。 极低导通电阻，在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0904NSIATMA1
- 商品编号
- C6869294
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W；2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.463nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款650 W的LDMOS射频功率晶体管，适用于广播发射机应用和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管(SyncFET)
- 集成单片类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
- 通过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按照IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
- UHF频段通信发射机应用
- UHF频段工业应用
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