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HXY7N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用高效封装TO-252-2L，具有卓越的650V工作电压和7A连续电流承载能力。专为高耐压、低损耗的电源转换与开关应用设计，以出色的稳定性及能效表现，广泛应用于各类高品质电子设备中。
- 商品型号
- HXY7N65D
- 商品编号
- C6851447
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384737克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@25V | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品特性
- 100V/370A
- RDS(ON) = 1.35mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无卤器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理
- 电池管理