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HYG016N10NS1TA
1个N沟道 耐压:100V 电流:370A
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- 描述
- 特性：100V/370A，RDS(ON)=1.35mΩ (典型值)，@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG016N10NS1TA
- 商品编号
- C6851451
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35mΩ@10V,100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 428.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON) - 最大限度降低导通损耗
- 出色的Qgd × RDS(ON)乘积（品质因数）
- 适用于DC - DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试 - 确保终端应用更可靠、更耐用
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器