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HXY7N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流可达7A，适用于高电压、大电流的电源转换与开关控制应用。为电子设备提供强大且稳定的功率管理解决方案。
- 商品型号
- HXY7N65F
- 商品编号
- C6851448
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@25V | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 用于AC/DC快速充电器的同步整流