HXY7N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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描述
此款消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，连续电流可达7A，适用于高电压、大电流的电源转换与开关控制应用。为电子设备提供强大且稳定的功率管理解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY7N65F商品编号
C6851448商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V |
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