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HXY4N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有卓越的650V高耐压等级和4A电流承载能力。特别适用于对电压稳定性要求高的消费电子开关应用，有效提升系统效率，确保运行安全可靠，是高压环境设计的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- HXY4N65D
- 商品编号
- C6851446
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384737克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 4 A
- RDS(ON) < 2.7Ω @ VGS = 10V
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。