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HXY2N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET封装为TO-252-2L，拥有650V高耐压值和2A电流承载力。适用于高压环境下的消费电子产品开关应用，提供出色的能效表现及稳定性，是优化电源系统、提升设备性能的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- HXY2N65D
- 商品编号
- C6851445
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@25V | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ |
优惠活动
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