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HXY5N50D
1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有高达500V的高耐压及稳定的5A电流处理能力。适用于各类高压开关应用场合的消费电子产品，确保卓越的电源转换效率、低损耗和系统稳定性表现。
- 商品型号
- HXY5N50D
- 商品编号
- C6851444
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 24.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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