71256L35Y

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71256L35Y
商品编号: C6826752
商品封装: SOJ-28
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IDT 71256是一款262,144位的高速静态随机存取存储器，其组织形式为32K × 8。它采用IDT高性能、高可靠性的CMOS技术制造。地址访问时间最快可达20ns，功耗仅为350mW（典型值）。该电路还提供低功耗待机模式。当片选信号（CS上划线）为高电平时，只要CS上划线保持高电平，电路将自动进入并保持低功耗待机模式。在完全待机模式下，低功耗器件的典型功耗小于15μW。此功能可显著节省系统级的功耗和散热成本。低功耗（L）版本还具备电池备份数据保留功能，当使用2V电池供电时，电路典型功耗仅为5μW。IDT71256采用28引脚（300或600密耳）陶瓷双列直插式封装、28引脚300密耳小外形J引脚封装、28引脚（600密耳）塑料双列直插式封装和32引脚无引线芯片载体封装，可实现高电路板级封装密度。

商品特性

高速地址/芯片选择时间
- 工业级：25/35ns（最大值）
- 商业级：仅低功耗模式下为20/25/35ns（最大值）
低功耗运行
电池备份操作 - 2V数据保留
采用先进的高性能CMOS技术制造
输入和输出直接与TTL兼容
提供标准28引脚（300或600密耳）陶瓷双列直插式封装、28引脚（600密耳）塑料双列直插式封装、28引脚（300密耳）小外形J引脚封装和32引脚无引线芯片载体封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	-
	存储容量	256Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	读写时间	35ns

	属性	参数值
	工作温度	-55℃~+125℃
	工作电流	120mA
	待机电流	1.5mA
	功能特性	自动掉电功能