- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
71V2576S133PFG
71V2576S133PFG
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V2576S133PFG
- 商品编号
- C6827759
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 9.346666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | - | |
| 工作电压 | - | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | - | |
| 工作电流 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V25761/781 是高速 SRAM，组织为 128K x 36/256K x 18。IDT71V25761/781 SRAM 包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许 SRAM 基于可延迟到写周期结束的决定生成自定时写。内部突发地址计数器接受来自处理器的第一个周期地址，启动访问序列。第一个输出数据周期将在下一个上升时钟沿之前流水线一个周期。如果选择突发模式操作，随后的三个输出数据周期将在接下来的三个上升时钟沿上可用。这三个地址的顺序由内部突发计数器和 LBO 输入引脚定义。IDT71V25761/781 SRAM 采用高性能 CMOS 工艺，并封装在 JEDEC 标准 14mm x 20mm 100 引脚薄型塑料四方扁平封装以及 119 球栅阵列和 165 细间距球栅阵列中。
商品特性
- 128K x 36、256K x 18 内存配置
- 支持高系统速度
- 商业级：200MHz 3.1ns 时钟访问时间
- 商业和工业级：183MHz 3.3ns 时钟访问时间，166MHz 3.5ns 时钟访问时间
- LBO 输入选择交错或线性突发模式
- 自定时写周期，具有全局写控制、字节写使能和字节写
- 3.3V 核心电源
- 通过 ZZ 输入控制掉电
- 2.5V I/O
- 可选边界扫描 JTAG 接口
- 封装在 JEDEC 标准 100 引脚塑料薄型四方扁平封装、119 球栅阵列和 165 细间距球栅阵列中