温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 坚固可靠
- 产品无铅
- SOT-23封装
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿度敏感度等级1
- 可根据需求添加后缀“-HF”获得无卤产品
应用领域
- 用于三相电机驱动器-用于双电源驱动步进电机-用于五相电机驱动
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