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CY15B104QSN-108SXI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY15B104QSN-108SXI

4Mb铁电随机存取存储器(F-RAM),串行(四路SPI),512K x 8,108 MHz,工业级

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描述
高性能、4Mbit非易失性存储器,采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可实现151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有出色的写耐久性,能够支持10¹⁴次读写循环,比EEPROM多1亿次写循环
商品型号
CY15B104QSN-108SXI
商品编号
C6814918
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.285克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录铁电存储器(FRAM)
接口类型SPI
存储容量4Mbit
工作电压1.8V~3.6V
工作电流16mA
时钟频率(fc)108MHz
属性参数值
待机电流110uA
睡眠模式电流(Izz)800nA
工作温度-40℃~+85℃
擦写寿命100000000000000次
数据保留 - TDR(年)151年

数据手册PDF