CY62177G30-55BAXIT

CY62177G30和CY62177GE30是高性能CMOS、低功耗（MoBL®）静态随机存取存储器（SRAM）设备，内置纠错码（ECC）。这两款设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY62177GE30设备包括一个错误指示（ERR）引脚，用于在读取周期中指示单比特错误检测和纠正事件。要访问单芯片使能输入的设备，需将芯片使能（CE）输入置为低电平。要访问双芯片使能设备，需将两个芯片使能输入（CE₁置为低电平，CE₂置为高电平）。进行数据写入时，将写使能（WE）输入置为低电平，并分别在设备数据引脚（I/O₀至I/O₁₅）和地址引脚（A₀至A₂₀）上提供数据和地址。字节高使能（BHE）和字节低使能（BLE）输入控制字节写入，并将数据写入指定的存储位置。进行数据读取时，使能输出使能（OE）输入，并在地址线上提供所需地址，可在I/O线（I/O₀至I/O₁₅）上访问读取的数据。当设备被取消选择（单芯片使能设备的CE为高电平，双芯片使能设备的CE₁为高电平/CE₂为低电平），或控制信号被释放（OE、BLE、BHE）时，所有I/O（I/O₀至I/O₁₅）都处于高阻态。这些设备具有独特的字节掉电功能，若两个字节使能（BHE和BLE）都被禁用，设备将无缝切换到待机模式，无论芯片使能状态如何，从而节省功耗。CY62177G30和CY62177GE30设备采用无铅48引脚TSOP I封装和48球VFBGA封装。48引脚TSOP I封装的设备也可配置为4M字×8位设备。

• 超低待机电流
• 典型待机电流：3μA
• 最大待机电流：19μA
• 高速：55 ns
• 内置纠错码（ECC）用于单比特错误纠正
• 工作电压范围：2.2 V至3.6 V
• 1.5 V数据保留
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
• 错误指示（ERR）引脚，用于指示1比特错误检测和纠正
• 48引脚TSOP I封装，可配置为2M×16或4M×8 SRAM
• 提供无铅48球VFBGA和48引脚TSOP I封装