CY62167EV30LL-45BVI

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），可组织为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，具有超低工作电流，非常适合为便携式应用（如移动电话）提供更长的电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能，在地址不切换时可将功耗降低99%。当器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平）时，进入待机模式。当器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或正在进行写操作（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）时，输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。

• TSOP I 封装可配置为 1M × 16 或 2M × 8 SRAM
• 非常高速：45 ns
• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C
• 宽电压范围：2.20 V 至 3.60 V
• 超低待机功耗：典型待机电流：1.5 μA；最大待机电流：12 μA
• 超低工作功耗：典型工作电流：7 mA 在 f = 1 MHz
• 易于存储器扩展，具有 CE1、CE2 和 OE 特性
• 取消选择时自动掉电
• CMOS 用于速度和功耗
• 提供无铅 48-ball VFBGA 和 48-pin TSOP I 封装