CY62167EV30LL-45BVI

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），可组织为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，具有超低工作电流，非常适合为便携式应用（如移动电话）提供更长的电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能，在地址不切换时可将功耗降低99%。当器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平）时，进入待机模式。当器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或正在进行写操作（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）时，输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。

• TSOP I封装，可配置为1M×16或2M×8 SRAM
• 超高速：45 ns
• 温度范围：工业级 -40℃至 +85℃
• 宽电压范围：2.20 V至3.60 V
• 超低待机功耗，典型待机电流1.5 μA，最大待机电流12 μA
• 超低工作功耗，典型工作电流在f = 1 MHz时为7 mA
• 借助CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能，易于进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术，实现最佳速度和功耗
• 提供无铅48球VFBGA和48引脚TSOP I封装