CY15V102QSN-108SXI

EXCELON™ Ultra CY15X102QSN是一款采用先进铁电工艺的高性能2兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达151年，同时避免了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同，CY15X102QSN能以总线速度执行写操作，无写入延迟，数据在成功传输到设备后立即写入存储阵列，下一总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写入耐久性，能够支持10^14次读写循环，比EEPROM多1亿倍写入循环。这些特性使CY15X102QSN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据收集（写入循环次数可能至关重要）和要求苛刻的工业控制（串行闪存的长写入时间可能导致数据丢失）。CY15X102QSN将2兆位F-RAM与高速四路SPI（QPI）SDR和DDR接口相结合，增强了F-RAM技术的非易失性写入能力。该器件集成了只读设备ID和唯一ID功能，允许SPI总线主控确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，该器件还提供一个只读唯一序列号，可用于识别电路板或系统。该器件支持片上ECC逻辑，能够检测并纠正每8字节单位数据中的1位错误，还能报告8字节单位数据中的2位错误。CY15X102QSN还支持循环冗余校验（CRC）功能，可用于检查存储阵列中存储数据的完整性。

• 2兆位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为256K×8
• 几乎无限的耐久性，可达100万亿（10^14）次读写循环
• 151年数据保留期
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 单I/O和多I/O SPI
• 串行总线接口SPI协议
• 支持所有SDR模式传输的SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 支持所有DDR模式传输的SPI模式0（0, 0）
• 扩展I/O SPI协议
• 双SPI（DPI）协议
• 四路SPI（QPI）协议
• SPI时钟频率：SPI SDR最高108MHz，SPI DDR最高54MHz
• 内存读写的即时执行（XIP）
• 写保护、数据安全和数据完整性：使用写保护（WP）引脚进行硬件保护，软件块保护，嵌入式ECC和CRC增强数据完整性
• ECC检测并纠正1位错误，若发生2位错误，不纠正但通过ECC状态寄存器报告；CRC检测原始数据的任何意外更改
• 扩展电子签名：设备ID包括制造商ID和产品ID，唯一ID，用户可编程序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM：专用特殊扇区读写，内容可承受多达三次标准回流焊循环
• 高速下低功耗：108MHz SPI SDR典型工作电流10mA，108MHz QSPI SDR和54MHz QSPI DDR典型工作电流16mA，典型待机电流110μA，典型深度掉电模式电流0.80μA，典型休眠模式电流0.1μA
• 低电压操作：CY15V102QSN：VDD = 1.71V至1.89V；CY15B102QSN：VDD = 1.8V至3.6V
• 工作温度：-40°C至+85°C
• 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准