商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规格涵盖了NPN硅晶体管的性能要求。为每种封装器件类型提供了四个级别的产品保证，如MIL - PRF - 19500中所规定。器件封装为（TO - 5和TO - 39）（符合图1）以及（U4）（符合图2）。除非另有规定，环境温度TA = +25°C。还介绍了最大额定值、主要电气特性、引脚识别编号、适用文件等信息。