- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 4MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V；1V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的2N5875、2N5877系列产品是采用外延基极工艺制造的互补型硅功率晶体管，封装于密封金属外壳中，适用于通用开关和放大器应用。