商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35 | |
| 特征频率(fT) | 160MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR的2N5058和2N5059是硅NPN外延平面晶体管，专为高压通用放大器应用而设计。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 35 | |
| 特征频率(fT) | 160MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
CENTRAL SEMICONDUCTOR的2N5058和2N5059是硅NPN外延平面晶体管，专为高压通用放大器应用而设计。